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Ver mejores ofertasSamsung ha desarrollado una nueva generación de chips Flash QLC, que incluirán 280 capas para una densidad de 28,5 Gb por milímetro cuadrado.
Se afirma que los nuevos chips QLC NAND V9 de Samsung son un 50% más densos que los de la competencia (YMTC 232L), lo que proporciona la mayor densidad de área del sector de la memoria Flash (QLC o TLC) en estos momentos. Los chips QLC NAND V9 también son más rápidos, con una velocidad de transferencia máxima de 3,2 Gbps frente a los 2,4 Gbps de la generación anterior.
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La transferencia de datos y el rendimiento siguen siendo un problema para las SSD basadas en QLC, pero un rendimiento de 3,2 Gbps debería ser más que suficiente para hacer de los nuevos chips una solución convincente para las unidades de estado sólido PCIe. Gracias a su tecnología QLC NAND V9, Samsung podría empezar pronto a vender unidades SSD M.2 de 16 TB.
Samsung ha afirmado en repetidas ocasiones que los chips QLC NAND Flash son el futuro del almacenamiento en estado sólido, ya que los chips de memoria TLC están alcanzando la máxima capacidad bruta que pueden lograr. La mayor densidad de superficie, sin precedentes, que proporcionan los nuevos chips QLC aportaría menores costes al proceso de fabricación, aunque la velocidad todavía no está a la altura de las modernas unidades SSD NVMe de gama alta para consumidores que venden tanto Samsung como la competencia.
La presentación de Samsung durante el próximo ISSCC debería al menos confirmar que la compañía está haciendo progresos significativos en el desarrollo de la tecnología QLC. Las actuales unidades SSD basadas en QLC emplean grandes memorias caché que pueden ocupar hasta el 25 por ciento de la capacidad total de almacenamiento de la unidad, lo que alivia ligeramente el problema del rendimiento. Cuando la caché está llena, las velocidades de escritura pueden desplomarse y caer a niveles inferiores a los de SATA (100-300 MBps).