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La nueva memoria eUFS 3.1 de 512GB cuenta con una velocidad de escritura tres veces mayor
Samsung Electronics ya ha comenzado la producción en masa de las memorias de 512 GB de almacenamiento eUFS 3.1 que montarán próximamente los teléfonos y tablets tope de gama.
La nueva memoria integrada cuenta con el triple de la velocidad de escritura secuencial que su predecesora, la memoria eUFS 3.0 de 512GB, alcanzando los 1.200 MB por segundo.
Esto permitirá a los smartphones tiempos de transferencia considerablemente más bajos y a la altura de los PC convencionales.
La nueva memoria también cuenta con una velocidad de lectura secuencial de 2.100MB por segundo y una velocidad de lectura aleatoria de 100.000 IOPS y 70.000 IOPS de escritura.
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