Samsung confirma que quiere que la RAM GDDR7 alcance los 36 Gbps con señalización PAM-3

Jesús Sánchez, 9 diciembre 2022

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Mientras esperan la ganancia generacional de ancho de banda que traerá GDDR7, los fabricantes han recurrido a diversas formas de memoria GDDR6 como soluciones temporales. Se ha hecho público un componente crucial de la estrategia de Samsung.


Se está utilizando PAM-3 en la memoria RAM GDDR7, como ha comprobado Samsung (Pulse Amplitude Modulation 3-level). En el futuro, las tarjetas gráficas tendrán una velocidad de datos dos veces superior a la GDDR6.

La RAM GDDR6 utilizada en la serie Radeon RX 7000 más reciente de AMD utiliza señalización NRZ para ofrecer velocidades de transferencia de 14 a 24 Gbps. Es capaz de transportar señales con 0 o 1 bit por ciclo.

Las unidades de procesamiento gráfico (GPU) más recientes, como la serie RTX 4000 de Nvidia, utilizan memoria GDDR6X de 18 a 23 Gbps. PAM-4 permite el uso de dos bits por ciclo, que pueden tomar los valores 0, 1, 2 o 3.

Durante su conferencia Tech Day de octubre, Samsung anunció que GDDR7 alcanzaría los 36 Gbps; sin embargo, la compañía acaba de revelar que lo logrará con PAM-3, que equilibra NRZ y PAM-4.

En PAM-3 son utlizados los -1, 0 y 1 , y cada ciclo arroja valores de 1,5 bits (3 bits cada dos ciclos). Tiene un mayor ancho de banda y requiere equipos menos costosos que PAM-4, al tiempo que es un 25% más eficiente energéticamente que NRZ. La señalización PAM-3 se utiliza en las conexiones Thunderbolt 5, lo que permite una capacidad de 80 Gbps, el doble que Thunderbolt 4.

Para competir con la memoria HBM2, Samsung ha introducido la GDDR6W. Se suponía que HBM2 era una posible sucesora de GDDR6 con mayor ancho de banda y velocidades más altas, pero su implementación en las tarjetas gráficas de la serie Vega de AMD fracasó, lo que hizo que AMD volviera a GDDR6. HBM2 se promocionó por su mayor ancho de banda y velocidad.

El ancho de banda de GDDR6W es comparable al de HBM2. También es posible que aproveche las técnicas de producción ya utilizadas para GDDR6. Las afirmaciones de Samsung no dan una respuesta sobre cuándo estará disponible la GDDR7; no obstante, es posible que AMD y Nvidia empleen la GDDR6W antes de pasar a la GDDR7.

Tanto T-Coul como Multiplexed Rank DIMM se incluyen en la diapositiva PAM-3 de Samsung para la memoria GDDR7 (MRDIMM). T-Coil acelera las operaciones de E/S, mientras que MRDIMM duplica la capacidad.