Cuando escribimos este artículo por primera vez, los cargadores de Nitruro de Galio (GaN) eran la novedad: pequeños, eficientes y bastante más caros que los normales.
Hoy la historia es otra. El GaN ha dejado de ser una alternativa para convertirse en lo normal: ya supone más de la mitad de los cargadores que se venden por encima de 65 W, y en las potencias altas es directamente la única forma de que quepan en la mano.
A continuación vemos qué es, por qué encoge tanto los cargadores y qué conviene mirar al comprar uno en 2026.
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¿Qué es el nitruro de galio?
El nitruro de galio, al igual que el silicio, es un material semiconductor. Sin embargo, el nitruro de galio tiene una conductividad eléctrica mucho mayor que el silicio.
Aunque no te suene, el nitruro de galio ya se hizo famoso en los años 90… El GaN se usó para crear los primeros LEDs blancos, láseres azules y pantallas LED a todo color que se podían ver a la luz del día. En los reproductores de DVD Blu-ray, el GaN produce la luz azul que lee los datos del disco.
Los fabricantes de silicio han trabajado incansablemente durante décadas para mejorar los transistores basados en silicio. Y, como ya sabrás, según la Ley de Moore (llamada así por el cofundador de Fairchild Semiconductor y, más tarde, el director general de Intel, Gordon Moore), el número de transistores en un circuito integrado de silicio se duplica aproximadamente cada dos años. Esta observación se hizo en 1965, y en gran medida se mantuvo durante los últimos 50 años.
Sin embargo, en 2010, el avance de los semiconductores se redujo por debajo de este ritmo por primera vez y muchos analistas (y el propio Moore) predicen que la Ley de Moore será obsoleta para el 2025.
Todo esto podría cambiar con la llegada de los transistores de GaN
La producción de transistores de GaN se disparó en 2006. La mejora de los procesos de fabricación significa que los transistores de GaN pueden ser fabricados en las mismas instalaciones que los de silicio. Esto mantiene los costos bajos y anima a más fabricantes de silicio a usar el GaN para producir transistores en su lugar.
¿Por qué el Nitruro de Galio es superior al Silicio?
Como ya hemos visto, el Nitruro de Galio tiene una mayor eficiencia energética que el silicio:
| Conductividad eléctrica (S/m) (300 K) | Resistencia eléctrica (Ω·m) (300 K) | |
| Silicio | 4,35 × 10−4 | 2,3×103 |
| Nitruro de galio | 7,10 × 106 | 1,40 × 10−7 |
Además de eso, todos los materiales semiconductores tienen lo que se llama un bandgap. El bandgap es un rango de energía en los sólidos donde no pueden existir electrones. Una especie de rango que está relacionado con lo bien que un material sólido puede conducir la electricidad.
El nitruro de galio tiene una brecha de banda de 3,4 eV, comparado con la brecha de banda de 1,12 eV del silicio. La mayor distancia entre bandas del nitruro de galio significa que puede soportar mayores voltajes y temperaturas que el silicio.
Debido a eso, el GaN es 1.000 veces más eficientemente que el silicio a la hora de conducir electrones.
Una mayor eficiencia de la corriente podría resultar en capacidades de procesamiento más rápidas en los procesadores del futuro.
En pocas palabras, los chips hechos de GaN serán más rápidos, más pequeños, más eficientes en cuanto a la energía y (eventualmente) más baratos que los hechos de silicio.
Ventajas del Nitruro de Galio en los cargadores
Los cargadores de GaN son físicamente más pequeños que los cargadores tradicionales y es que el GaN es un material capaz de conducir voltajes mucho más altos (a lo largo del tiempo) que el silicio. Debido a eso, los nuevos cargadores requieren menos material y menos componentes internos.
Además de eso, los cargadores de GaN son más eficientes en la transferencia de corriente, lo que también significa que se pierden menos energía en forma de calor. Por lo tanto, más energía se transmite a lo que sea que estés tratando de cargar (móvil, portátil, tablet, etc.), mientras que el cargador se calienta mucho menos.
También tienen otros beneficios, como una mayor frecuencia de conmutación que permite una transferencia de energía inalámbrica más rápida y mayores “espacios de aire” entre el cargador y el dispositivo.
En la actualidad, los semiconductores de GaN generalmente cuestan más que los de silicio. Sin embargo, debido a la mejora de la eficiencia, se necesitan menos componentes adicionales, como disipadores térmicos, filtros y elementos de circuitos.
Gracias a eso, en estos momentos, a los fabricantes les sale entre un 10 y 20% más barato fabricar un cargador GaN que uno de silicio. Esto podría mejorar aún más con las mejoras de fabricación y la fabricación a gran escala.
El GaN en 2026: de novedad a requisito
Lo que ha cambiado desde que se popularizó no es la tecnología, es su posición en el mercado.
Ya no es una alternativa, es el estándar
Los números lo dejan claro: más de la mitad de los cargadores que se venden por encima de 65 W ya son de GaN, y el coste de los componentes viene bajando en torno a un 8-12 % cada año. Aquella diferencia de precio que había al principio se ha ido diluyendo hasta hacerse casi irrelevante en el estante.
Y en las potencias altas ha pasado algo más interesante: ha dejado de ser una opción.
Los 240 W y por qué el silicio ya no vale
La norma USB Power Delivery 3.1 subió el techo hasta los 240 W, suficiente para portátiles gaming y estaciones de trabajo. Aquí está el dato que explica todo el asunto: para dar esos 240 W en un cargador que puedas llevar en la mochila, el GaN es prácticamente obligatorio.
Un diseño equivalente con transistores de silicio ocuparía entre dos y tres veces más volumen y se calentaría bastante más en uso sostenido. No es que sea peor: es que no cabe.
Un apunte realista sobre potencias, porque el marketing tira hacia arriba: los 240 W siguen siendo un nicho. Lo que se ha convertido en habitual para portátiles potentes son los 140 W, y para casi todo lo demás sigues teniendo de sobra con 65 o 100 W.
La tercera generación
Los chips de GaN más recientes integran en un mismo encapsulado el controlador y el transistor de potencia, lo que reduce en torno a un 40 % el número de componentes externos. De ahí vienen los cargadores absurdamente pequeños de los últimos años: no es que el GaN haya mejorado mucho, es que hace falta mucho menos alrededor.
GaN y SiC no son rivales
Verás mencionado el carburo de silicio (SiC) como si compitiera con el GaN. En la práctica se han repartido el terreno por voltaje:
- GaN, hasta unos 650 V: cargadores, fuentes de alimentación y electrónica de consumo. Su fuerte es conmutar muy rápido, que es lo que permite miniaturizar.
- SiC, de 1.200 V para arriba: coches eléctricos, red eléctrica, motores industriales. Su fuerte es aguantar mucha potencia y calor.
Para lo que cargas tú, el que importa es el GaN. Si ves “SiC” en un cargador de móvil, es marketing.
Qué mirar al comprar uno en 2026, que ya no es “que sea GaN” —eso se da por hecho—:
La potencia total repartida, no la del titular. Un cargador de “100 W” con tres puertos rara vez da 100 W por uno solo: los reparte. Mira la tabla de combinaciones, que suele venir en letra pequeña.
Que tenga USB PD, y del bueno. Es lo que negocia el voltaje con tu portátil; sin PD, un cargador de mucha potencia no le sirve de nada a un portátil moderno.
Cuidado con lo muy barato y sin marca. Aquí manejamos 20 V o más y componentes de conmutación rápida: no es el sitio para ahorrarse cinco euros.
No hace falta perseguir la cifra máxima. Compra para lo que tengas: 65 W cubre casi cualquier portátil ligero y todos los móviles, y te va a caber mejor en la maleta.
Cómo funciona la negociación de voltaje por dentro lo contamos en qué es la carga rápida PPS.
Fuentes
