El número de transistores de los circuitos integrados se duplica aproximadamente cada dos años desde principios de los años 70, como se observa en la ley de Moore. Sin embargo, con en unos pocos años la ley de Moore será imposible de cumplir por las limitaciones físicas de reducir aún más el tamaño de los transistores.
Aun así, la Compañía de Fabricación de Semiconductores de Taiwán, o TSMC para abreviar, ha hecho un gran avance en el desarrollo de su proceso de fabricación de 2nm. Según afirman, TSMC ha establecido una nueva arquitectura de transistores de efecto de campo de canales múltiples (MBCFET) que aparentemente resuelve los límites físicos asociados con el uso de la corriente de control de fugas FinFET.
Se espera que la fabricación de 2 nm se lleve empiece a llevar a cabo en las fábricas de Baoshan (China) y Hsinchu (Taiwán) en la segunda mitad de 2023, y la producción en masa comenzará en 2024.
