SK Hynix ha enseñado su próxima carta en la guerra del almacenamiento: prepara la producción en masa de su memoria NAND 3D de 375 capas para finales de 2026. Es, sobre el papel, la NAND con más capas de la industria, y llega con un truco de fabricación poco vistoso pero importante: cambiar el tungsteno por molibdeno en el cableado interno del chip.
Conviene matizar desde el principio: se trata de un objetivo para empezar a fabricarla a final de año, no de un producto que ya esté en la calle. Lo que hoy se produce en masa es la generación anterior, la NAND de 321 capas (la primera del mundo, en producción desde finales de 2024). Además, SK Hynix aún no ha detallado la capacidad por chip ni las cifras de rendimiento de la nueva generación de 375 capas.

Aun así, la noticia es relevante, porque más capas significan almacenamiento más denso y barato. Vamos a ver qué son exactamente esas capas, por qué el cambio de material es la verdadera novedad y cómo va la carrera frente a Samsung, Kioxia y Micron.
Qué son las capas y por qué importan
La memoria NAND flash es la que guarda los datos en tu SSD, tu móvil o tu consola. Hace años, para meter más capacidad había que agrandar el chip a lo ancho, lo cual era caro e ineficiente. La solución fue la NAND 3D: en lugar de extender las celdas de memoria en horizontal, se apilan en vertical, como las plantas de un edificio. Cada «planta» es una capa.
¿Por qué importa el número de capas? Muy sencillo: cuantas más capas, más celdas caben en el mismo trozo de silicio, y por tanto más gigas por chip a menor coste. Es la palanca principal para que los SSD y el almacenamiento de los móviles sean cada vez más grandes y más baratos. Por eso los fabricantes llevan años enzarzados en una «carrera de las capas» que ya ha superado las 300 y apunta hacia las 400, 500 e incluso 1.000.
Si quieres entender mejor los tipos de memoria que hay dentro de un SSD, lo explicamos a fondo en nuestra guía sobre las memorias NAND flash (SLC, MLC, TLC y QLC).
El cambio clave: del tungsteno al molibdeno
Apilar capas suena fácil, pero a partir de cierto punto aparece un muro físico. El cableado interno que conecta las celdas (las llamadas word lines) se fabricaba tradicionalmente con tungsteno, y a medida que las estructuras se hacen más finas y altas, ese tungsteno se vuelve demasiado resistivo: la señal se degrada. Esa es justo la barrera con la que choca cualquiera que quiera pasar de 300 capas.
La apuesta de SK Hynix —y de la industria en general, porque Samsung va por el mismo camino— es sustituirlo por molibdeno, un metal con menor resistencia eléctrica en estructuras tan estrechas. Eso permite que la señal viaje más rápido y, sobre todo, seguir apilando capas sin que el chip se atasque.
La carrera de las capas y cuándo lo verás
Con sus 375 capas previstas, SK Hynix se pondría a la cabeza, pero la competencia aprieta. Kioxia ya tiene su BiCS10 de 332 capas, Samsung fabrica su V9 de 286 capas y prepara un salto a la «clase 400» (en torno a 430 capas) para la segunda mitad de 2026, y Micron anda por las 276 capas. La propia SK Hynix ya habla de futuras generaciones de 480 y 604 capas.

Detrás de toda esta prisa está, como casi siempre últimamente, la demanda de la IA: los centros de datos necesitan almacenamiento de alta capacidad y alta densidad a espuertas, y SK Hynix ha trazado un plan agresivo para multiplicar su producción de obleas en los próximos años.
¿Y cuándo lo notarás tú? Como la producción en masa no arranca hasta finales de 2026, los SSD y móviles que monten esta NAND de 375 capas llegarían más bien en 2027. De momento, lo que compras lleva la generación de 321 capas. Puedes seguir la evolución de su memoria en la página oficial de historia de la NAND de SK hynix.











